Electronic-Beam Evaporator(E-Beam 진공증착법)

Electronic-Beam Evaporator(E-Beam 진공증착법)은 lectronic-Beam을 이용하여 증발원을 가열시켜 증착시키는 방법이다.

 

기판을 만들려는 물질의 용융점이 넓은 경우에 많이 사용된다. 용융점이 넓은 물질로는 W, Nb, Si가 있다. 장점으로는 물질 표면만 용해가 일어나므로 효율이 높고 오염이 적다. 또한 용융점이 높은 금속에 적합하다. 그리고 전자빔의 세기가 강하면 증착되는 속도가 빨라진다는 것이고, 다른 증착법과 비교해 높은 순도 박막이 만들어진다는 것이다. 단점으로는 X-ray가 발생한다는 것과 와류와 방전이 심하다는 것이다.

 Electronic-Beam Evaporator의 증착 순서는 우선 필라멘트(주로 W로 되어있음)에 강한 전류를 공급한다. 그러면 필라멘트에서 전자 빔이 나오기 시작한다. 필라멘트에서 나오는 전자 빔을 전자석에 의한 자기장으로 유도하고, 증착하려는 물질에 위치시키면 집중적인 전자의 충돌로 증착시키려는 물질이 가열되어 기체 상태로 변한다. 이후는 Thermal Evaporator의 과정과 비슷하다. 증착시려는 물질은 기체 상태가 되어 챔버 내에서 분산되며 날아간다. 이 기체의 물질은 기판까지 날아가다가 기판의 차가운 표면에 닿는다. 그러면 기체의 물질은 기판의 표면에서 고체로 응축되어 박막이 만들어진다.